时间：2025/5/23 21:49:33
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FQU3N50C 是一款 N 治道硅功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特性，能够在高频开关条件下提供高效的性能。
该 MOSFET 的设计使其非常适合需要高效能、低损耗的应用场景，同时其封装形式也便于散热和安装。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4.2A
栅源电压：±20V
导通电阻：1.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：75W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
FQU3N50C 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻（1.8Ω 典型值），从而减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，适合高频电路设计。
4. 内部采用优化的 DMOS 工艺，提升器件的热稳定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 具备较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
FQU3N50C 可用于以下应用场景：
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动和控制。
3. 逆变器及 UPS 系统。
4. LED 驱动器和电子负载。
5. 各种工业控制设备中的功率级开关。
6. 电磁阀驱动和继电器替代方案。
7. 适配器和充电器模块中的功率转换部分。
IRF540N, K1208, STP36NF06
