类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

FQU2P40具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压高达400V，适合中高压功率应用。器件的栅极氧化层设计提供了良好的栅极稳定性，使其能够承受较高的栅源电压（±20V），从而增强了在各种工作条件下的可靠性。
　　FQU2P40采用了高效的散热封装（TO-252），有助于在高电流工作状态下有效散热，提升整体系统的稳定性。此外，该器件的封装设计符合RoHS标准，支持环保生产流程。在动态性能方面，FQU2P40具有快速开关能力，能够减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　这款MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护，延长器件的使用寿命。由于其稳定的电气特性和较高的可靠性，FQU2P40常用于工业控制、通信电源、消费类电子产品以及汽车电子系统。

FQU2P40适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、电机驱动器以及LED照明电源。其高耐压和低导通电阻特性使其成为工业自动化设备和电源适配器中的理想选择。此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、家电控制板以及智能电表等应用。在汽车电子领域，FQU2P40可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车灯控制模块。

FQP40N06、IRF740、FQU13N40、FQA7N40