时间：2025/8/25 6:55:38
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FQU2N90TU_WS 是一款由富昌电子（Fairchild Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具备优异的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。FQU2N90TU_WS采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于需要紧凑设计和良好热性能的电子设备。其主要特点是具备高耐压能力，可支持高达900V的漏源击穿电压（Vds），适合用于多种高电压应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FQU2N90TU_WS具备多个优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（Vds=900V）使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于各种高压电源转换器和开关电源系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）为1.2Ω，显著降低了在高电流下的功率损耗，提高了整体系统的能效。此外，该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了优异的开关性能，降低了开关过程中的能量损耗。
在热性能方面，FQU2N90TU_WS采用TO-252封装，具备良好的散热能力，确保在高功率应用下的稳定性和可靠性。这种封装形式也适合表面贴装技术（SMT），便于在PCB上进行自动化装配。此外，该MOSFET具备较强的抗过载能力和短路保护特性，能够在突发的高电流或短路情况下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。
该器件还具有快速恢复二极管特性，适用于需要高频开关的应用场景。其栅极驱动要求较低，能够与多种常见的驱动电路兼容，从而简化了设计流程并降低了整体系统成本。
FQU2N90TU_WS广泛应用于多种电源管理和功率转换系统。例如，它常用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，实现高效的电压调节功能。此外，在电机驱动系统中，FQU2N90TU_WS可用于控制电机的启停和转速调节，其高耐压和低导通电阻特性有助于提升电机运行的稳定性和能效。
该器件还适用于LED照明驱动电路，特别是在高压LED灯串驱动中表现出色。由于其高耐压特性，可以减少电路中所需的MOSFET数量，从而降低整体系统成本。在工业自动化和智能家电中，FQU2N90TU_WS也可用于各种继电器替代、负载开关和逆变器设计中，提供可靠的高电压和高电流控制能力。
FQA2N90C, FQPF2N90C, IRFGB40N90B
