时间：2025/5/8 8:32:57
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FQU2N100 是一款 N 沱道硅功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用 TO-252 封装，具有较高的电压耐受能力以及较低的导通电阻，适用于多种工业及消费电子领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：3.6Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃~150℃
FQU2N100 的主要特性包括：
1. 高电压承受能力，能够支持高达 100V 的漏源电压。
2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于在空间受限的应用中使用。
5. 宽温度范围支持，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造需求。
FQU2N100 常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压升压控制。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业设备中的功率调节与控制。
FQPF2N100, IRFZ44N, STP20NF10
