类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：17 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.055 Ω @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQU17N08L 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）为 0.055 Ω，在 10 V 栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的 PowerTrench 技术制造，增强了沟道密度和载流能力，从而在高电流条件下保持稳定性能。
　　该 MOSFET 的热性能优越，TO-252（DPAK）封装支持良好的散热管理，使其在高负载应用中仍能保持较低的工作温度。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在电压尖峰和瞬态条件下的可靠性。
　　FQU17N08L 的栅极驱动电压范围较宽，可达 ±20 V，兼容多种驱动电路设计，适用于 PWM 控制和高频开关应用。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高效率电源转换系统。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力（ESD），在制造和使用过程中具有较高的稳定性和安全性。适用于汽车电子、工业控制、消费类电源适配器等对可靠性和效率要求较高的应用场景。

FQU17N08L 主要应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
　　在消费电子产品中，FQU17N08L 可用于笔记本电脑、台式机主板、电源适配器等设备中的功率管理模块。在工业控制系统中，可用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业电源、电机控制模块等。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、DC-DC 转换器、车身控制模块等场景。由于其良好的温度特性和抗干扰能力，也适用于需要长时间稳定运行的嵌入式系统和工业自动化设备。

FQP17N08L, FDB17N08L, FDS4410, Si4410DY, IRFZ44N