时间：2025/6/28 15:13:13
阅读：11
FQU13N10L 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于多种功率转换应用。其封装形式通常为 TO-263（DPAK），能够满足高效率和紧凑设计的需求。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，适合中等电压范围的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电信和工业设备中的电源管理电路。此外，它还具备良好的热特性和电气稳定性，有助于提高系统的整体可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：13A
导通电阻：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：1050pF（典型值）
总耗散功率：45W（在 TA=25℃ 时）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263（DPAK）
FQU13N10L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，使得开关损耗更低，适合高频应用。
3. 较小的栅极电荷 (Qg)，便于驱动且降低了驱动功耗。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 封装紧凑，有助于节省 PCB 空间。
这些特点使得 FQU13N10L 成为高性能功率转换应用的理想选择。
FQU13N10L 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器及降压/升压拓扑。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 负载开关和保护电路。
6. 电信设备中的电源模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
其卓越的性能使其成为需要高效功率管理和快速动态响应应用的最佳解决方案之一。
FDP15N10,
IRFZ44N,
AO3400,
STP16NF10,
FQA13N10
