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FQU13N06LTU_WS 发布时间 时间:2025/12/29 15:12:57 查看 阅读:40

FQU13N06LTU_WS 是富昌电子(Fairchild Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高耐压以及优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造,能够在高电流和高频条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):13A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):≤75mΩ(当Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

FQU13N06LTU_WS 的主要特性包括其低导通电阻(Rds(on)),这使得该MOSFET在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件的高耐压能力(60V)使其适用于多种电源管理电路,如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。此外,该MOSFET具有良好的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  FQU13N06LTU_WS 还具有快速开关特性,使其适用于高频开关应用。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高整体效率。此外,该MOSFET的封装设计(TO-252)提供了良好的散热性能,同时便于安装和集成到PCB板上。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使其兼容多种驱动电路。此外,其在极端温度下的稳定性也使其适用于工业级和汽车电子应用。

应用

FQU13N06LTU_WS 广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、LED驱动电路以及汽车电子系统。在电源管理中,该MOSFET可用于高效能的开关电源(SMPS)和适配器设计。在汽车电子中,它可以用于驱动继电器、灯泡、电动窗电机等负载。此外,FQU13N06LTU_WS 也常用于工业自动化设备和智能家电中的功率控制模块。

替代型号

FQP13N06L, FDB047N25AS

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FQU13N06LTU_WS参数

  • 标准包装70
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件