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FQU10N20LTU 发布时间 时间:2023/11/30 17:43:05 查看 阅读:523

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :830pF @ 25V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:通孔
封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装:管件

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FQU10N20LTU参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装70
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 3.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件