类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :830pF @ 25V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:通孔
封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装:管件