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FQT1N60CTF_WS 发布时间 时间：2023/11/30 17:43:21 查看 阅读：534

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.5 欧姆 @ 100mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：170pF @ 25V
功率 - 最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261
包装：带卷 (TR)

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FQT1N60CTF_WS参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C11.5 欧姆 @ 100mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds170pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FQT1N60CTF_WSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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