时间：2025/12/23 14:30:43
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FQPF7N65C 是一款 N 治道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件主要应用于高频开关电路、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等领域。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，具有出色的散热性能，适用于大功率应用场景。FQPF7N65C 在设计时充分考虑了降低开关损耗的需求，因此它在高频工作条件下表现尤为出色。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：39nC
总电容：1180pF
功耗：165W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FQPF7N65C 的主要特性包括高击穿电压（650V），这使得它能够承受较高的反向电压，从而适合高压环境下的应用。其次，其较低的导通电阻（0.18Ω）有助于减少传导损耗，提高系统的整体效率。
此外，该器件的栅极电荷相对较小（39nC），这意味着其开关速度较快，可以有效降低开关损耗。它的总电容为 1180pF，进一步优化了动态性能。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适应多种恶劣的工作条件。
FQPF7N65C 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子领域。例如，它可以用于 DC-DC 转换器中，作为主开关元件来实现高效的电能转换。
此外，在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用来控制电机的转速和方向，提供精确的功率输出。在逆变器系统中，FQPF7直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器等设备。
其他典型应用还包括电源适配器、不间断电源（UPS）、电磁炉以及各类工业自动化设备中的开关电路。
IRFP260N
FQP17N65
STP7NK60Z
