时间：2025/5/8 20:04:06
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FQPF6N60C是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型技术。该器件具有600V的高击穿电压，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等多种高压应用场合。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和电气特性，能够满足工业级和消费级电子产品的设计需求。
这款MOSFET的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可以显著降低功率损耗，从而提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：600V
最大连续漏电流：6A
最大脉冲漏电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷：24nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（Rds(on)），减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并提升系统效率。
4. 封装形式为TO-220，具备优秀的散热性能。
5. 稳定的工作温度范围，适应恶劣的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 逆变器和转换器中的高频开关。
4. 各类工业控制设备中的负载切换。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 充电器和其他便携式设备的功率管理模块。
IRF640N, STP6NK60Z, FQP12N60C
