FQPF5N80C 时间：2025/6/30 23:24:20 阅读：3

FQPF5N80C 是一款 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和各种电力电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了效率并减少了能量损耗。
　　这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220，便于散热和安装，适合高功率应用场景。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：5A
　　栅极阈值电压：4V
　　导通电阻：3.6Ω
　　总功耗：115W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FQPF5N80C 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其 800V 的最大漏源电压使其能够在高压环境下稳定工作，适用于多种工业和汽车领域应用。
　　2. 较低的导通电阻：在典型的工作条件下，导通电阻仅为 3.6Ω，有效降低了传导损耗。
　　3. 快速开关性能：由于其优化的内部结构设计，开关时间短，能够提高系统效率并减少电磁干扰。
　　4. 良好的热稳定性：即使在极端温度范围内，也能保持稳定的电气性能。
　　5. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，确保长时间使用的稳定性。

应用

FQPF5N80C 常见的应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 和 AC-DC 转换电路中，提供高效的功率转换。
　　2. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中用作功率开关。
　　4. 电池保护：用于电池管理系统中的过流和短路保护电路。
　　5. 电信设备：在通信电源和基站电源中作为关键功率元件。