时间：2025/6/23 22:28:33
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FQPF4N80C 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Fairchild 半导体公司推出的高电压功率 MOSFET 系列。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能量能力的特点。FQPF4N80C 通常被用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用中，例如开关电源、电机驱动器和逆变器等场景。
此型号的工作电压高达 800V，能够满足高压环境下对功率开关器件的需求。同时，其优化的栅极驱动特性也使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：800V
连续漏电流：4A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：25nC
总耗散功率：17W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力：FQPF4N80C 的漏源电压为 800V，使其非常适合高压工业和汽车应用。
2. 低导通电阻：在额定条件下，其导通电阻仅为 1.2Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：该器件具备较低的栅极电荷（25nC），从而支持更高的开关频率，减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能量承受能力：即使在极端条件下，FQPF4N80C 也能承受较大的瞬态能量冲击，保证系统的稳定性。
5. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，确保了长期使用的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）：
FQPF4N80C 常用于离线式开关电源的设计中，特别是在高输入电压的应用场合。
2. 电机驱动：
由于其高压特性和良好的开关性能，这款 MOSFET 被广泛应用于各种电机驱动电路。
3. 逆变器：
在太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备中，该器件提供了高效可靠的功率开关功能。
4. PFC（功率因数校正）电路：
适用于升压 PFC 应用，提高系统整体效率。
5. 工业自动化：
包括电磁阀驱动、继电器控制等领域，均可使用该器件实现高性能的功率管理。
IRF840, STP4NB80Z, FDPF4N80
