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FQPF4N60B 发布时间 时间:2025/8/24 9:03:35 查看 阅读:15

FQPF4N60B是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效功率管理的电子电路中。该器件采用TO-220封装,具备高耐压和大电流承载能力,适用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制以及各种开关电源应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(典型值)
  最大功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

FQPF4N60B具有低导通电阻的特性,这使得它在导通状态下的功率损耗大大降低,从而提高了整体系统效率。此外,该MOSFET具备快速开关能力,适合高频应用。其高雪崩能量能力确保了在过载和短路条件下仍能保持稳定工作。FQPF4N60B的封装设计有助于良好的散热性能,适用于高功率密度设计。此外,该器件的栅极驱动要求较低,可以与标准驱动电路兼容,降低了驱动电路的设计复杂性。
  FQPF4N60B还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。其设计符合RoHS环保标准,不含铅和卤素,适用于绿色电子产品制造。该器件的高可靠性使其成为工业控制、消费类电子和汽车电子中常见的功率开关元件。

应用

FQPF4N60B通常用于开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关应用。此外,它也广泛应用于家用电器、UPS不间断电源系统以及光伏逆变系统中。

替代型号

FQP4N60C, IRF740, STP4NK60Z, FQA4N60C

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