时间：2025/8/24 9:03:35
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FQPF4N60B是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效功率管理的电子电路中。该器件采用TO-220封装，具备高耐压和大电流承载能力，适用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制以及各种开关电源应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（典型值）
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
FQPF4N60B具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下的功率损耗大大降低，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适合高频应用。其高雪崩能量能力确保了在过载和短路条件下仍能保持稳定工作。FQPF4N60B的封装设计有助于良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与标准驱动电路兼容，降低了驱动电路的设计复杂性。
FQPF4N60B还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其设计符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于绿色电子产品制造。该器件的高可靠性使其成为工业控制、消费类电子和汽车电子中常见的功率开关元件。
FQPF4N60B通常用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关应用。此外，它也广泛应用于家用电器、UPS不间断电源系统以及光伏逆变系统中。
FQP4N60C, IRF740, STP4NK60Z, FQA4N60C
