时间：2025/5/9 17:59:03
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FQPF46N15是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升电路效率并降低损耗。
这款MOSFET由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产，其设计旨在满足工业级应用对高效能和可靠性的要求。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：38A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：ton=7ns, toff=12ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQPF46N15具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 优化的栅极电荷参数，降低了驱动功耗。
5. TO-220标准封装，便于安装与散热设计。
这些特点使得FQPF46N15成为许多大功率电子系统中的理想选择。
FQPF46N15广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机控制器
5. 脉宽调制（PWM）驱动电路
由于其出色的电气性能和可靠性，这款MOSFET特别适用于需要高效能和稳定运行的工业及消费类电子产品。
IRF460, STP40NF15, FDPF46N15
