时间：2025/6/30 23:23:45
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FQPF33N10L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）推出的 PowerTrench 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。
该 MOSFET 的封装形式通常为表面贴装 SO-8 封装，适合在有限空间内进行高效设计。其主要特点是能够提供较低的功耗和较高的效率，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：350mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容：460pF（输入电容 Ciss）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装：SO-8
FQPF33N10L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss，适合高频应用。
3. 强大的雪崩能力和 ESD 抗扰度，确保在恶劣条件下也能可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 表面贴装封装，易于自动化装配，降低生产成本。
6. 优异的热阻性能，有助于散热管理。
FQPF33N10L 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. LED 驱动器中的调光和恒流控制。
6. 各种消费类电子产品和工业设备中的电源管理模块。
FQP30N06L, FDP5570, IRF740
