时间：2025/4/25 18:39:32
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FQPF2N70 是一款 N 沪硅基功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其设计使得它在高频开关电路中表现出色，同时支持高效率的能量转换。
这款 MOSFET 的额定耐压为 700V，使其非常适合应用于工业控制、电源管理、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
最大漏源电压：700V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻（典型值）：3.6Ω
总功耗：165W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
FQPF2N70 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达 700V，适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的要求。
6. 支持表面贴装和插件安装，方便用户根据实际需求选择合适的装配方式。
FQPF2N70 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2.>3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 高压电源模块。
6. 各种需要高效功率转换的电力电子设备。
IRF770,
FDP5800,
STP55NF06,
IXFN50N120T
