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FQPF27P06 发布时间 时间:2025/5/28 19:59:49 查看 阅读:7

FQPF27P06 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)公司生产的 PowerTrench 系列。该器件采用 SO-8 封装,适用于高频开关应用和低导通电阻要求的场景。其主要特点是低导通电阻和高效率,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
  该 MOSFET 的设计使其在高电流和高频应用中表现出色,同时具备出色的热性能和电气特性。由于其低导通电阻和小封装尺寸,FQPF27P06 成为许多功率电子设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:14nC
  输入电容:1380pF
  总耗散功率:29W(Ta=25°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

低导通电阻:FQPF27P06 提供了 15mΩ 的典型导通电阻,减少了传导损耗并提高了系统效率。
  快速开关性能:较小的栅极电荷(14nC)和输入电容(1380pF)确保了更快的开关速度,从而降低了开关损耗。
  高可靠性:PowerTrench 技术提供了优异的鲁棒性和可靠性,即使在极端条件下也能保持稳定性能。
  小型化封装:SO-8 封装节省了 PCB 空间,同时具有良好的散热性能。
  宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围,适应各种环境条件。

应用

DC-DC 转换器:
  FQPF27P06 常用于降压或升压转换器中作为主开关元件。
  负载开关:
  凭借其低导通电阻,这款 MOSFET 可以有效减少负载切换时的能量损失。
  电机驱动:
  适用于中小型电机驱动器,提供高效的电流控制。
  电池保护:
  在电池管理系统中用作保护开关,防止过流或短路情况。
  其他应用包括逆变器、LED 驱动器和音频放大器等。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06
  AO3400

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FQPF27P06参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大47W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件
  • 其它名称FQPF27P06-NDFQPF27P06FS