FQPF27P06 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)公司生产的 PowerTrench 系列。该器件采用 SO-8 封装,适用于高频开关应用和低导通电阻要求的场景。其主要特点是低导通电阻和高效率,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
该 MOSFET 的设计使其在高电流和高频应用中表现出色,同时具备出色的热性能和电气特性。由于其低导通电阻和小封装尺寸,FQPF27P06 成为许多功率电子设计的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:27A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:14nC
输入电容:1380pF
总耗散功率:29W(Ta=25°C)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
低导通电阻:FQPF27P06 提供了 15mΩ 的典型导通电阻,减少了传导损耗并提高了系统效率。
快速开关性能:较小的栅极电荷(14nC)和输入电容(1380pF)确保了更快的开关速度,从而降低了开关损耗。
高可靠性:PowerTrench 技术提供了优异的鲁棒性和可靠性,即使在极端条件下也能保持稳定性能。
小型化封装:SO-8 封装节省了 PCB 空间,同时具有良好的散热性能。
宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围,适应各种环境条件。
DC-DC 转换器:
FQPF27P06 常用于降压或升压转换器中作为主开关元件。
负载开关:
凭借其低导通电阻,这款 MOSFET 可以有效减少负载切换时的能量损失。
电机驱动:
适用于中小型电机驱动器,提供高效的电流控制。
电池保护:
在电池管理系统中用作保护开关,防止过流或短路情况。
其他应用包括逆变器、LED 驱动器和音频放大器等。
IRFZ44N
STP20NF06
AO3400