时间：2025/9/1 17:51:22
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FQPF19N20C 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率、高频开关应用，具备优良的导通特性和快速开关能力，广泛应用于电源转换、DC-DC转换器、马达控制、逆变器、电池管理系统等领域。FQPF19N20C采用了先进的平面技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：19A（在Tc=25℃）
漏源导通电阻（RDS(on)）：0.17Ω @ VGS = 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：94W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-220
FQPF19N20C 具备多项优良特性，使其适用于多种高功率电子系统。首先，其最大漏源电压可达200V，支持在高压系统中稳定运行，适用于多种工业电源和电机驱动应用。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.17Ω，在VGS=10V条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，FQPF19N20C具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达19A，在短时间内可承受更高的脉冲电流，增强了其在高功率场合的适应性。该器件的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，适合与多种类型的栅极驱动器配合使用，提升了设计的灵活性。FQPF19N20C采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境中运行，同时具备较高的机械强度和耐久性。其工作温度范围从-55℃至+175℃，可在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用需求。此外，该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。这些特点使FQPF19N20C成为高性能电源管理系统中的理想选择。
FQPF19N20C MOSFET被广泛应用于各类高功率电子设备中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统以及各种功率控制电路。由于其高压能力和高电流承载能力，FQPF19N20C常用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车充电系统、太阳能逆变器等需要高效能功率管理的场合。此外，该器件也可用于LED照明驱动、UPS（不间断电源）系统、储能系统等应用场景。
FQA19N20C, FDPF19N20C, FGH40N20S, FQA20N20C
