时间：2025/8/25 3:59:25
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FQPF18N65是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率应用场景。该器件设计用于高效能电源转换系统，例如电源供应器、DC-DC转换器、马达控制器和逆变器。FQPF18N65具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关性能，使其成为高效率和高可靠性的理想选择。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：18A
最大漏-源极电压（VDS）：650V
最大栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
FQPF18N65具备多项优异特性，包括高电压耐受能力（650V漏-源极电压），这使其适用于高电压系统设计。其低导通电阻（RDS(on)）为0.18Ω，显著减少了导通损耗，从而提高电源转换效率。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。FQPF18N65的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种工业级应用。
这款MOSFET的快速开关特性降低了开关损耗，提高了高频应用的效率。同时，其栅极驱动特性稳定，能够兼容标准的10V和12V栅极驱动电路，简化了控制电路的设计。
值得一提的是，FQPF18N65还具有较强的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，保护器件免受损坏。这种设计增强了其在苛刻环境下的适用性，特别是在电机驱动和工业自动化系统中。
FQPF18N65广泛应用于各类高电压和高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器、马达控制和照明系统等。由于其优异的性能和可靠性，该器件特别适合需要高效能和高稳定性的工业设备、消费电子产品以及汽车电子系统中的功率管理模块。
FQA18N65C、IRFGB40N65B、STP18N65M5
