时间：2025/4/29 15:20:09
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FQPF18N50V2 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-247 封装，适用于高电压、高电流应用场合。其典型用途包括开关电源、电机驱动器和逆变器等。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的雪崩能力，能够有效提高系统效率并增强可靠性。
该型号中的关键参数表明它适合在高压环境下运行，同时保持较低的传导损耗。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：3.6Ω
栅极电荷：120nC
总电容：2100pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQPF18N50V2 提供了多种优异的性能特点：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压应用中具备出色的稳定性。
2. 较低的导通电阻（3.6Ω 典型值），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（120nC），从而降低开关损耗。
4. 强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 使用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，便于集成到功率模块中。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器，用于高效电压转换。
3. 电机控制与驱动电路，实现对电机的精确控制。
4. 工业逆变器，支持可再生能源发电和电力传输。
5. 各类需要高压切换的应用场景，例如焊接设备、激光器电源等。
IRFP260N, STP18NF50, FQP18N50
