类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：0.42Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

FQPF16N80具有多项优异的电气特性，首先是其高达800V的漏源击穿电压，使其适用于高电压工作环境，例如AC-DC电源转换器、高压电机驱动器等。其次，其最大连续漏极电流为16A，能够承受较高的负载电流，满足中高功率应用的需求。该MOSFET的导通电阻为0.42Ω，在Vgs=10V时表现出较低的导通损耗，有助于提高整体系统的效率。
　　此外，FQPF16N80具备良好的热稳定性，采用TO-220封装，具备较强的散热能力，有助于在高功率运行时保持稳定。其最大功率耗散为125W，进一步增强了其在高功率密度应用中的适用性。FQPF16N80的栅极驱动电压范围为±30V，但推荐在+10V至+20V之间工作，以确保良好的导通性能和器件可靠性。
　　该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源和工业自动化控制系统。同时，其耐用的结构设计和优良的抗雪崩能力也使其在严苛的工业环境中具有较高的可靠性和寿命。

FQPF16N80广泛应用于多种高电压功率转换和控制电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器、逆变器、电机控制器、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和较高电流承载能力，它也非常适合用于家电中的功率控制部分，例如电磁炉、电热水器、空气压缩机等需要高可靠性的应用场景。
　　此外，FQPF16N80还可用于光伏逆变系统、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）中的高电压开关控制。其优异的热稳定性和抗干扰能力使其在高温、高湿度等恶劣环境下依然能保持稳定运行。

FQP16N80, IRF840, STF16N80, 2SK2142, 2SK2545