FQPF15N60 时间：2025/12/29 14:24:34 阅读：12

FQPF15N60 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压、中等功率的开关应用。该器件采用先进的平面条形技术和 DMOS 工艺制造，具备低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。它广泛应用于电源管理、AC-DC 转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子产品中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：15A
　　功耗 PD：170W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.42Ω @ Vgs=10V
　　输入电容 Ciss：典型值 1100pF
　　开关时间（典型值）：导通延迟时间 10ns，上升时间 45ns，关断延迟时间 40ns，下降时间 25ns

特性

FQPF15N60 具备多项优良特性，适用于高性能开关电源设计。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压输入的开关电源系统，如通用电源适配器、离线电源等。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其快速的开关性能（短开关时间和低输入电容）有助于提高开关频率，减小外围元件尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。
　　FQPF15N60 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。该封装也便于在 PCB 上安装和散热片连接，提升整体热管理能力。此外，该器件具备高雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性，适用于严苛的工业环境。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，便于与常见的 PWM 控制器配合使用。同时，其内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要续流功能的电路，如电机驱动和同步整流应用。

应用

FQPF15N60 被广泛应用于多种电源转换和控制电路中，如 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、电机驱动器、LED 照明电源以及家电控制模块。由于其具备高电压耐受能力和良好的热稳定性，该器件也常用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池充电器以及各种需要高效、高可靠性的电力电子系统中。此外，在需要进行高频开关操作的应用中，如变压器驱动和高频逆变器，FQPF15N60 也表现出色。