时间：2025/8/25 0:21:50
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FQPF15N06 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，适用于中高功率应用。该器件采用先进的平面条形技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及出色的热性能，使其在各种电源管理系统中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
FQPF15N06 具备多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为40mΩ，在10V栅源电压下能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该MOSFET具备高电流承载能力，最大连续漏极电流可达15A，适用于需要较高功率输出的应用场景。此外，其最大漏源电压为60V，适用于中压电源转换系统。FQPF15N06 采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力开关环境中的可靠性。此外，±20V的栅源电压耐受能力确保了栅极驱动电路的设计灵活性和稳定性。其工作温度范围广泛，适用于工业级和车载应用环境。
FQPF15N06 广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、电机控制器、电源开关、负载开关以及各种中功率开关电源（SMPS）设备。其优异的导通特性和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载逆变器、电控单元（ECU）和LED照明驱动电路。
IRFZ44N, FDPF15N06, STP15NF06L, FQPF15N06L
