时间：2025/8/24 23:52:45
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FQPF14N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造。该器件设计用于高功率应用，具有良好的导通特性和热性能，适合在需要高效能和高可靠性的电子系统中使用。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on))：典型值为0.35Ω
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
FQPF14N60的主要特性包括高耐压、低导通电阻以及出色的热稳定性。该器件在高电压条件下仍能保持稳定的导通性能，适用于需要承受高压和大电流的应用场景。此外，FQPF14N60的封装设计提供了良好的散热性能，使其在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。其栅极驱动特性较为平滑，有助于降低电磁干扰（EMI）。FQPF14N60在过载和短路条件下表现出良好的耐用性，适合在工业环境中使用。
由于其高可靠性和优良的电气性能，FQPF14N60广泛用于电源转换器、电机驱动、UPS系统以及照明设备等高功率电子系统中。
FQPF14N60主要应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-交流逆变器、电机控制模块、照明镇流器以及不间断电源（UPS）等。它也常用于工业自动化设备、电源适配器以及电动车充电系统等对性能和可靠性有较高要求的领域。
FQP14N60C, FQA14N60C, IRFBC40, FDPF14N60
