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FQPF14N50 发布时间 时间:2025/8/24 23:39:54 查看 阅读:16

FQPF14N50是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于高功率开关和电源管理领域。这款MOSFET采用了先进的平面技术,具备高击穿电压、低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种电源转换系统。

参数

漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID):14A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):0.38Ω(最大)@ VGS = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

FQPF14N50具有多个优异的电气特性,使其在高电压和高电流环境下表现出色。其最大漏源电压为500V,能够承受较高的电压应力,适用于中高功率电源转换器和逆变器应用。导通电阻RDS(on)最大为0.38Ω,在VGS=10V时,能够有效降低导通损耗,提高系统的整体效率。
  该器件采用先进的平面MOSFET技术,具备良好的热稳定性和高可靠性。此外,其栅极驱动电压范围宽(±30V),允许在不同的驱动条件下稳定工作。FQPF14N50的封装形式为TO-220,便于安装在散热片上,确保在高负载条件下仍能有效散热。
  器件的极限工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。其高电流承载能力(14A连续漏极电流)使其适用于高功率负载切换、电机驱动、DC-DC转换器和电源管理系统。

应用

FQPF14N50主要用于高电压和高功率的电源管理与转换系统。典型应用包括AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高耐压和低导通电阻特性,该MOSFET也广泛应用于LED照明驱动器、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源设备中。

替代型号

FQP14N50, IRFBC40, STP14N50

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