时间：2025/8/24 23:39:54
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FQPF14N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率开关和电源管理领域。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具备高击穿电压、低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种电源转换系统。
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：14A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大）@ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
FQPF14N50具有多个优异的电气特性，使其在高电压和高电流环境下表现出色。其最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源转换器和逆变器应用。导通电阻RDS(on)最大为0.38Ω，在VGS=10V时，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。
该器件采用先进的平面MOSFET技术，具备良好的热稳定性和高可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽（±30V），允许在不同的驱动条件下稳定工作。FQPF14N50的封装形式为TO-220，便于安装在散热片上，确保在高负载条件下仍能有效散热。
器件的极限工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境。其高电流承载能力（14A连续漏极电流）使其适用于高功率负载切换、电机驱动、DC-DC转换器和电源管理系统。
FQPF14N50主要用于高电压和高功率的电源管理与转换系统。典型应用包括AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达控制电路、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET也广泛应用于LED照明驱动器、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源设备中。
FQP14N50, IRFBC40, STP14N50
