时间：2025/8/24 8:08:22
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FQPF12N90C 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：900V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：12A（在25℃时）
导通电阻(Rds(on))：0.65Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃～150℃
封装类型：TO-220
FQPF12N90C具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻可有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的应用环境。此外，该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，提升了电路设计的灵活性。
该器件还具备良好的热稳定性和抗短路能力，能够在极端工作条件下维持性能稳定。内部结构优化减少了寄生电容，从而降低了开关过程中的能量损耗，有助于提高系统的工作频率。此外，FQPF12N90C还具有较高的可靠性，适用于要求长时间连续运行的工业级应用。
FQPF12N90C主要应用于各种高电压和高功率场景，如AC-DC电源适配器、离线式开关电源、LED驱动电源、电机控制电路、电焊机电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业自动化控制设备。由于其高耐压和高电流能力，也非常适合用于高压负载开关和功率因数校正（PFC）电路中。
FQP12N90C, FQA12N90C, STF12N90M, 2SK2143
