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FQPF10N65C 发布时间 时间:2025/3/21 10:50:03 查看 阅读:15

FQPF10N65C是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其耐压值为650V,适合高压环境下的电路设计。

参数

最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):1.2Ω
  总功耗:190W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高击穿电压使其能够在高压条件下稳定运行。
  2. 低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度使得该器件在高频应用场景中表现出色。
  4. 具有良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  5. TO-247封装形式提供了优秀的散热能力,便于安装和维护。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动控制
  5. 工业自动化设备
  6. 不间断电源(UPS)
  FQPF10N65C凭借其高性能特点,特别适合需要高效率和高可靠性的高压应用场合。

替代型号

IRFP460N
  FQA10N65C
  STP10NK65Z

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