时间：2025/3/21 10:50:03
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FQPF10N65C是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其耐压值为650V，适合高压环境下的电路设计。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
总功耗：190W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压使其能够在高压条件下稳定运行。
2. 低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度使得该器件在高频应用场景中表现出色。
4. 具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. TO-247封装形式提供了优秀的散热能力，便于安装和维护。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动控制
5. 工业自动化设备
6. 不间断电源（UPS）
FQPF10N65C凭借其高性能特点，特别适合需要高效率和高可靠性的高压应用场合。
IRFP460N
FQA10N65C
STP10NK65Z
