时间：2025/6/11 14:01:21
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FQP90N08是一款N沟道功率MOSFET，属于Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产的MOSFET系列。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率控制的场景。
FQP90N08的特点是低导通电阻和高开关速度，能够在高频应用中提供较低的功耗和高效的性能表现。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：67nC（典型值）
总电容：1750pF（输入电容）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FQP90N08具有以下主要特性：
1. 低导通电阻：其典型的Rds(on)仅为13mΩ，这使得它在大电流应用中能够减少导通损耗。
2. 高开关速度：由于其较低的栅极电荷，该器件能够实现快速开关，适合高频电路设计。
3. 热稳定性强：FQP90N08可以在高达150℃的结温下正常工作，确保了在高温环境下的可靠性。
4. 良好的雪崩能力：具备一定的抗雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 封装坚固：采用标准TO-220封装，便于散热设计和安装，同时提供出色的电气隔离性能。
FQP90N08适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. DC-DC转换器：用于降压或升压转换电路中的功率开关。
3. 电机驱动：驱动直流无刷电机或其他类型的电机。
4. 电池保护：用于电池管理系统中的过流保护和负载切换。
5. 工业自动化：在工业控制系统中实现功率控制和信号切换功能。
IRFZ44N, FDP12N10L, STP10NK60Z
