时间：2025/7/9 15:55:50
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FQP8P10是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景中，其低导通电阻和高开关速度的特点使其非常适合于高效能应用。
该MOSFET具有较低的栅极电荷和输出电容，能够实现快速的开关操作，同时减少开关损耗。此外，它还具备优异的雪崩击穿能力和热稳定性，保证了在各种恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容：115pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 低栅极电荷和输出电容，进一步优化开关效率。
4. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 良好的雪崩击穿能力，提升系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 各类负载开关的应用。
4. 电机驱动及控制电路。
5. 电池保护和管理系统。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRF840, K1008P10
