时间：2025/12/23 23:58:05
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FQP8N80C 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）公司生产的功率 MOSFET 系列。该器件采用 TO-220 封装形式，适用于高电压和中等电流的应用场景。FQP8N80C 以其低导通电阻、高开关速度和出色的雪崩能力而闻名，广泛应用于各种电源管理领域。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：8A
导通电阻：4.2Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
输入电容：1650pF（典型值）
总功耗：16W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQP8N80C 具有以下显著特点：
1. 高电压耐受能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，能够减少导通损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，可在宽温度范围内可靠运行。
5. 强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
6. TO-220 封装便于散热和安装，适用于多种工业标准电路板布局。
FQP8N80C 广泛应用于需要高电压和高效能的场合，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 电磁阀和继电器驱动。
4. 逆变器和转换器模块。
5. 各类工业和消费电子设备中的负载切换。
6. 能量回收系统和保护电路中的关键元件。
FQP8N80,
IRF840,
STP8NB80Z,
FDP8N80,
IXTH8N80N
