FQP8N65 是由 Fairchild(飞兆半导体)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能,适用于高效率电源系统的设计。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):650V
漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(最大)
栅极电压(Vgs):±20V
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
FQP8N65 MOSFET 采用了先进的平面条形FET技术,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,这使得它在高频开关应用中表现优异。其650V的漏源击穿电压使其适用于高电压输入的电源应用,如AC-DC转换器、DC-DC变换器和电机控制电路。此外,该器件的热阻较低,有助于在高负载条件下保持稳定的性能,同时减少了对散热器的要求。其封装形式为TO-220,便于安装和散热设计。
FQP8N65 的栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的驱动电路进行控制,同时具备良好的抗过载和短路能力。由于其低门电荷(Qg)特性,该器件在开关过程中能够减少开关损耗,提高系统效率。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力,适用于可能遇到电压瞬变的工业和消费类电子设备。
FQP8N65 常见于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、电池充电器、逆变器、电机驱动器以及各类工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和良好的导通性能,它也常用于高功率LED照明系统和节能型家电产品中。在电源拓扑结构中,如反激式、正激式或半桥/全桥变换器中,FQP8N65 能够提供稳定可靠的开关性能。
FQA8N65C, FQP10N65C, FQP12N65C, FQP7N65C