FQP8N65 时间：2025/8/25 3:04:26 阅读：31

FQP8N65 是由 Fairchild（飞兆半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源系统的设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQP8N65 MOSFET 采用了先进的平面条形FET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，这使得它在高频开关应用中表现优异。其650V的漏源击穿电压使其适用于高电压输入的电源应用，如AC-DC转换器、DC-DC变换器和电机控制电路。此外，该器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持稳定的性能，同时减少了对散热器的要求。其封装形式为TO-220，便于安装和散热设计。
　　FQP8N65 的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的驱动电路进行控制，同时具备良好的抗过载和短路能力。由于其低门电荷（Qg）特性，该器件在开关过程中能够减少开关损耗，提高系统效率。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，适用于可能遇到电压瞬变的工业和消费类电子设备。

应用

FQP8N65 常见于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电池充电器、逆变器、电机驱动器以及各类工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和良好的导通性能，它也常用于高功率LED照明系统和节能型家电产品中。在电源拓扑结构中，如反激式、正激式或半桥/全桥变换器中，FQP8N65 能够提供稳定可靠的开关性能。