类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：500V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.65Ω（最大值 0.85Ω）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

FQP8N50C 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可承受高达 500V，使其适用于高压电源转换应用。该器件具有相对较低的导通电阻，在 8A 工作电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，其 TO-220 封装具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持稳定的工作温度。
　　FQP8N50C 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 驱动电压，也兼容 5V 驱动电路，提高了设计的灵活性。该 MOSFET 具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，同时具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
　　另外，FQP8N50C 设计有内置的静电放电（ESD）保护结构，提高了器件在制造和使用过程中的抗静电能力。其低漏电流特性也有助于降低待机功耗，适用于节能型电源设计。

FQP8N50C 主要应用于高压功率开关电路，如开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、DC-DC 升压/降压模块、电机驱动器和负载开关控制。由于其具备高耐压和中等电流能力，该器件也常用于照明系统（如 HID 灯驱动）、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
　　此外，FQP8N50C 可用于电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）等需要高可靠性和高效率的电源系统中。在电机控制应用中，它可作为 H 桥结构中的功率开关元件，实现电机正反转和调速控制。

FQA8N50C, FQP10N50C, IRFBC40, FCP8N50C