类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

FQP8N10具备多项优异的电气和机械特性，适用于多种功率电子设备。其主要特性包括高电流承载能力、低导通电阻、快速开关速度和高可靠性。该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，FQP8N10的开关速度快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和马达控制电路。其TO-220封装设计确保了良好的散热性能，同时便于安装在散热片上以进一步提高热管理能力。
　　该器件还具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达100V，适用于中高压功率转换场合。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时也可支持更高的驱动电压以进一步降低导通电阻。此外，FQP8N10的温度稳定性良好，在宽温度范围内仍能保持稳定的电气性能，适合工业级和汽车电子应用。
　　值得一提的是，FQP8N10具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，从而提高系统的稳定性和寿命。其结构设计优化了热阻，使器件在高负载下仍能保持较低的工作温度，避免因过热而损坏。

FQP8N10广泛应用于多种功率电子系统和电路中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动器、照明控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品。在开关电源中，该MOSFET可用作主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，FQP8N10可作为高频开关元件，实现高效的电压变换。此外，该器件也适用于马达控制电路，用于驱动直流马达或步进马达，提供稳定的功率输出。
　　在工业控制领域，FQP8N10可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的功率输出模块，控制继电器、电磁阀等执行元件。在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电控制电路，实现对电池的高效管理。此外，FQP8N10还可用于LED照明驱动电路，特别是在需要高亮度和高效能的照明系统中。在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、充电器、UPS（不间断电源）等设备中，提供稳定可靠的功率控制。

FQP10N10, FQP12N10, FQA8N10, IRFZ44N