时间：2025/7/4 6:36:46
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FQP80N10是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计特点在于较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET的最大漏极电流为80A（在脉冲条件下），并且具有100V的漏源电压额定值。由于其优异的性能和可靠性，FQP80N10在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：80A（脉冲条件）
导通电阻：45mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：160W
结温范围：-55℃至+150℃
热阻（结到壳）：1.1°C/W
FQP80N10具有以下主要特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为45mΩ，有助于减少导通损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达80A的脉冲漏极电流。
3. 快速开关速度，可满足高频应用需求。
4. 具备出色的雪崩能力和ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
5. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
6. 工作温度范围广，适用于各种恶劣环境下的应用。
FQP80N10适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 汽车电子系统中的电源管理和驱动模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换和驱动部分。
6. 各种消费类电子产品的功率管理单元。
IRFZ44N
STP80NF10
IXFN80N10T
FDP88N10
