FQP80N10是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计特点在于较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET的最大漏极电流为80A(在脉冲条件下),并且具有100V的漏源电压额定值。由于其优异的性能和可靠性,FQP80N10在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:80A(脉冲条件)
导通电阻:45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:160W
结温范围:-55℃至+150℃
热阻(结到壳):1.1°C/W
FQP80N10具有以下主要特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),在Vgs=10V时仅为45mΩ,有助于减少导通损耗。
2. 高电流处理能力,支持高达80A的脉冲漏极电流。
3. 快速开关速度,可满足高频应用需求。
4. 具备出色的雪崩能力和ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性。
5. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
6. 工作温度范围广,适用于各种恶劣环境下的应用。
FQP80N10适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 汽车电子系统中的电源管理和驱动模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换和驱动部分。
6. 各种消费类电子产品的功率管理单元。
IRFZ44N
STP80NF10
IXFN80N10T
FDP88N10