时间：2025/5/15 18:13:56
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FQP7N80C 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和中等功率的应用场景。该器件采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够有效地控制电流的开关状态。
其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器以及各种需要高效电能转换的场合。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：7A
栅极阈值电压：3V 至 6V
导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω（在 Vgs=10V 时）
功耗：9W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQP7N80C 的主要特点是其高击穿电压（800V），这使得它非常适合于高压环境下的开关应用。
其次，该器件具备较低的导通电阻（4.5Ω，在 Vgs=10V 时），从而减少了功率损耗并提高了效率。
此外，TO-220 封装提供了良好的散热性能，使其能够在较高功率下稳定运行。
FQP7N80C 的栅极阈值电压范围为 3V 至 6V，确保了与大多数逻辑电路兼容，便于集成到不同的系统设计中。
最后，这款 MOSFET 具有快速开关速度，有助于减少开关损耗，进一步提升系统的整体效率。
FQP7N80C 广泛应用于多种电子设备中，特别是在需要处理高电压的场景下表现优异。
常见的应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、电机驱动电路、逆变器模块、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）系统、工业自动化设备中的负载控制以及太阳能逆变器等。
由于其高耐压特性和低导通电阻，FQP7N80C 在需要频繁开关操作且对效率要求较高的场合尤为适用。
FQPF7N80C, IRF740, STP7NK80Z
