类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　Rds(on)：0.85Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
　　最大功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FQP7D20TM具有多项优异特性，首先，其低导通电阻使得在高电流应用中功耗更低，提高了整体效率。其次，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，提升了设备的可靠性。
　　此外，FQP7D20TM采用了先进的平面制造工艺，增强了器件的耐用性和稳定性，适用于多种工业环境。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过电压和过电流冲击，提高了系统的鲁棒性。TO-252封装设计不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，便于在高功率应用中进行热管理。

FQP7D20TM广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、电池充电器以及负载开关等。其高效率和高可靠性的特点使其在工业自动化、消费电子、通信设备和汽车电子等领域得到广泛应用。
　　特别是在需要高效能、小尺寸设计的电源转换应用中，FQP7D20TM凭借其优异的电气性能和稳定的封装结构，成为一种理想的选择。例如，在LED照明驱动、电源适配器、UPS不间断电源系统中，该MOSFET都能提供出色的性能。

FQP7N20C, FQA7N20, FDPF7D20TM