类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：80 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 7.9 mΩ @ VGS = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（PD）：200 W

FQP79N15 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻（RDS(on)）**：其典型值为 7.9 mΩ，在导通状态下可显著降低功率损耗，提高系统效率。这对于高电流应用尤为重要，有助于减少发热并提高整体性能。
　　2. **高电流承载能力**：连续漏极电流可达 80 A，适用于高功率密度设计，如服务器电源、电动工具和工业控制系统。
　　3. **优良的热性能**：采用 TO-263 封装，具有良好的散热能力，确保在高负载条件下稳定工作。
　　4. **宽栅极电压范围**：允许使用 +10 V 至 +20 V 的栅极驱动电压，兼容多种驱动电路设计，同时保证稳定导通状态。
　　5. **高耐用性和可靠性**：器件设计符合工业标准，能够在严苛环境下长时间稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化等关键应用领域。
　　6. **快速开关特性**：具备较低的输入和输出电容，有助于实现高速开关操作，减少开关损耗，提高整体系统效率。

FQP79N15 被广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. **电源管理**：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器电源和通信设备中的高效率电源模块。
　　2. **电机控制**：用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具、无人机和机器人系统中的功率开关元件。
　　3. **工业自动化**：如可编程逻辑控制器（PLC）、工业变频器、伺服驱动器等设备中的高电流开关控制。
　　4. **汽车电子**：包括车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等，满足汽车电子对高可靠性和高耐久性的要求。
　　5. **消费类电子产品**：如高功率 LED 驱动器、智能家电中的功率控制模块等，提供高效、稳定的功率开关解决方案。

IRF1405, FDP79N15, FQP80N15, SiS79N15