时间：2025/7/9 22:05:29
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FQP75N06是一款N沟道功率MOSFET，适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够满足多种电子电路需求。FQP75N06在电源适配器、电机驱动、电池保护和负载切换等领域表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.4mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：180W
工作温度范围：-55℃~175℃
FQP75N06具备非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有快速开关速度，可降低开关损耗，非常适合高频应用。器件的工作温度范围宽广，适应恶劣环境下的使用要求。
FQP75N06的高电流能力和低导通电阻使其成为需要大功率输出场景的理想选择，同时其热稳定性也确保了长期可靠性。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制、电池管理系统以及负载开关等电路中。由于其高电流承载能力和低导通电阻，FQP75N06特别适合用作高效功率开关元件。
在工业自动化领域，它可以作为驱动单元的核心组件；在消费类电子产品中，FQP75N06可用于便携式设备的充电管理和保护电路设计。
IRFZ44N
STP75NF06
FDP75N06L
