时间：2025/8/11 19:02:18
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FQP70N10J69Z是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产。该器件适用于高功率、高频应用，具有良好的导通特性和低开关损耗，广泛用于电源转换、马达控制和逆变器设计等场合。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：70A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约10mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V~4.0V
最大功率耗散（PD）：160W
封装类型：TO-263（D2Pak）
FQP70N10J69Z具备优异的热稳定性和低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，该器件还具有良好的雪崩击穿特性和短路承受能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其TO-263封装形式具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。FQP70N10J69Z在高频开关应用中表现出色，适用于各种电源管理和功率转换电路。
FQP70N10J69Z常用于DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制设备等高功率应用中。其优异的性能也使其适用于电动车充电器、电池管理系统和开关电源等场合。
FQP70N10J69Z可替代的型号包括FQA70N10、FDP70N10、IRF1405、SiHF70N10等。在选择替代器件时，应确保其电气参数与原器件匹配，并满足应用电路的需求。
