时间：2025/5/8 17:52:00
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FQP6N40C 是一款 N 沣道通态晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高频应用场合。
这款 MOSFET 的耐压为 40V，能够承受较大的漏源极电压，并且其连续漏极电流可达 6.9A（在特定条件下），确保了其在大电流电路中的稳定运行。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻（Rds(on)）：130mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
总功耗：1.1W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQP6N40C 具有较低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提高整体效率。
该器件的开关速度快，有助于降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
FQP6N40C 的封装形式为 TO-252，这种封装体积较小，便于 PCB 布局设计，同时具有良好的散热性能。
其具备较高的雪崩击穿能力，能够承受短暂的过流或过压冲击，增强了系统的可靠性。
由于其低 Qg（栅极电荷），驱动功耗较低，进一步提升了整体效率。
FQP6N40C 广泛用于各种需要高效功率转换的场合。
主要应用包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流器
- DC/DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 负载开关
- 电池保护电路
- 各类便携式电子设备的功率管理
此外，它也适用于工业自动化、通信设备以及消费类电子产品中。
IRF540N
STP60NF06
AO3400
FDP078N10ATMS
