时间：2025/5/29 23:01:52
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FQP65N06是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为需要高效能功率管理设计的理想选择。
FQP65N06的漏源极电压（Vds）为60V，连续漏极电流（Id）为14A，且具有较低的导通电阻Rds(on)，从而可以减少功耗并提升系统效率。此外，它还具备快速开关特性，能够适应高频工作环境。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
脉冲漏极电流(Ip)：35A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：77W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
栅极电荷(Qg)：29nC
输入电容(Ciss)：1750pF
输出电容(Coss)：560pF
1. 高电流承载能力：支持高达14A的连续漏极电流。
2. 低导通电阻：Rds(on)典型值为0.18Ω，可有效降低导通损耗。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和输出电容确保了高效的开关性能。
4. 宽电压范围：60V的漏源极电压使其适用于多种电源应用场景。
5. 热稳定性强：能够在-55℃到+150℃的结温范围内稳定工作。
6. 小尺寸封装：采用标准TO-220封装，便于散热设计与安装。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路中的主开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 负载开关及保护电路中的电子开关。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的负载控制和保护功能实现。
IRF650N
STP65NF06
IXYS IXFN60N140T2
