时间：2025/7/9 20:25:16
阅读：8
FQP5N20L是一种N沟道功率MOSFET，适用于各种高效率、高频开关应用。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式，具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度的特性，使其非常适合于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用场景。
作为一款增强型场效应晶体管，FQP5N20L通过栅极电压控制来调节漏极和源极之间的电流流动。其设计优化了散热性能，并能够在较高的工作频率下保持较低的功耗。
最大漏源电压(Vdss)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.9A
导通电阻(Rds(on))：1.3Ω(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：740mW
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
FQP5N20L的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，可承受高达200V的漏源电压。
2. 极低的导通电阻，在典型工作条件下仅为1.3Ω，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作，适合于开关电源和脉宽调制(PWM)应用。
4. 较小的封装尺寸，便于印刷电路板布局并节省空间。
5. 优异的热稳定性和可靠性，可在较宽的工作温度范围内正常运行。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
FQP5N20L广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流或开关元件。
3. 负载开关和保护电路中的电子保险丝。
4. 小功率电机驱动和逆变器控制。
5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
6. LED驱动器和背光控制中的开关元件。
其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为众多便携式设备和工业控制系统中的理想选择。
FQP5N20,
FDP5N20,
FDP5N20L
