时间：2025/12/29 15:23:56
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FQP52N20是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用TO-220封装，适用于高电流、高电压的开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：52A
导通电阻（RDS(on)）：最大0.044Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
FQP52N20具有低导通电阻和高电流承载能力，这使其在高功率应用中表现出色。其高耐压特性确保了在高压环境下的稳定运行。
此外，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合用于电源开关、电机控制和DC-DC转换器等应用。
器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，便于与各种驱动电路兼容。
该器件还具有较低的开关损耗，有助于提高系统效率并减少发热，从而延长使用寿命。
在过热保护方面，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定工作。
FQP52N20常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器以及电池充电系统。
它适用于需要高电流和高电压处理能力的工业和消费类电子产品。
此外，该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器和电动车辆的电源管理系统。
由于其高可靠性和优异的导通性能，该器件也被用于LED照明驱动器、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）系统。
在自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器中，FQP52N20也是常用的功率开关元件。
IRF540N, FDP52N20, FQP50N20, FQA52N20
