类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：50A（在 Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 0.016Ω（在 Vgs=10V 时）
　　封装类型：TO-262（D-Pak）

FQP50N06-FSC 的核心特性之一是其低导通电阻 Rds(on)，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的额定电流能力，可承受较大的负载电流，同时具备良好的热稳定性和散热性能。
　　该 MOSFET 采用 TO-262 封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上安装和自动化生产。其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。
　　此外，FQP50N06-FSC 还具备较高的耐用性和可靠性，能够在高温和高湿度环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。该器件的快速开关特性也有助于减小开关损耗，提高整体系统性能。

FQP50N06-FSC 常用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等。由于其高电流能力和低导通电阻，它也适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统，例如服务器电源、电信设备电源和电动车充电器等。
　　此外，该 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，如汽车启动系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统中。

IRF540N, FDP50N06, STP55NF06, FQP50N06