类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：50A（@Tc=100℃）
　　功耗 PD：200W（最大值）
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　存储温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻 Rds(on)：0.0065Ω（@Vgs=10V）
　　栅极电荷 Qg：130nC（典型值）
　　输入电容 Ciss：2800pF（典型值）

FQP50N006 MOSFET 具备多项优良特性，使其在功率电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 0.0065Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达 50A，能够支持大功率负载的应用需求。此外，FQP50N006 的栅极电荷（Qg）仅为 130nC，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。其 TO-220 封装具有良好的热性能，便于散热，适用于中高功率密度设计。同时，该 MOSFET 的工作温度范围宽达 -55℃ 至 175℃，确保在各种环境条件下稳定运行。内置的快速恢复体二极管也提升了其在感性负载开关应用中的可靠性。这些特性共同使 FQP50N006 成为高性能功率开关的理想选择。

FQP50N006 MOSFET 主要应用于各种电源管理系统和功率转换电路中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和功率因数校正（PFC）电路。在电机控制和驱动器中，该器件可作为高电流开关，适用于直流电机、步进电机等负载的控制。此外，FQP50N006 还可用于不间断电源（UPS）、电池充电器、逆变器以及工业自动化控制系统的功率输出级。由于其低导通电阻和高频率响应特性，该 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。

IRF50N06D, FDP50N06, STP50NF06, NTD50N06LT4G