时间：2025/6/25 15:18:10
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FQP4N20L 是一款 N 沣道的功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件主要适用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的应用场景。其额定电压为 200V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
这款 MOSFET 具有快速开关速度和低栅极电荷的特点，非常适合高频开关应用。此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性，确保在各种工作条件下的性能表现。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：3.7Ω
栅极电荷：6nC
总电容：280pF
功耗：1W
FQP4N20L 的关键特性包括高耐压能力、低导通电阻和高效的开关性能。它的 200V 额定电压使其能够适应较宽范围的工作电压需求，而低至 3.7Ω 的导通电阻则有助于降低导通损耗并提高系统效率。
该器件的快速开关速度得益于其低栅极电荷设计，可显著减少开关损耗。此外，TO-252 封装提供了较好的散热性能，从而提升了整体可靠性。这些特点使得 FQP4N20L 成为众多功率转换应用的理想选择。
FQP4N20L 广泛应用于多种领域，例如消费类电子产品中的开关电源、工业控制中的电机驱动以及通信设备中的 DC/DC 转换器等。
在开关电源中，它可以作为主开关管用于 PWM 控制电路；在电机驱动应用中，FQP4N20L 可用作 H 桥或半桥配置中的功率开关；而在逆变器设计中，这款 MOSFET 则可以实现高效的直流到交流转换。总之，任何需要高效率、高可靠性的功率管理场合都可以考虑使用 FQP4N20L。
FQP4N20,
FDP5720,
IRF540N
