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FQP47P06 发布时间 时间:2025/12/24 1:19:12 查看 阅读:16

FQP47P06 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的 PowerTrench 系列。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于各种高效能电源管理应用。FQP47P06 的额定电压为 60V,能够满足大多数低压系统的功率转换需求。
  该 MOSFET 主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域,其卓越的性能使其成为高效率开关电源、电机驱动器和 DC-DC 转换器的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  开关时间:ton=8ns,toff=25ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

FQP47P06 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,可以降低开关损耗,非常适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品的需求。
  5. 小型封装选项,便于 PCB 布局设计和节省空间。

应用

FQP47P06 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
  2. DC-DC 转换器,包括降压和升压拓扑。
  3. 各种电机驱动电路,例如步进电机和无刷直流电机。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  5. 便携式设备中的电源管理和保护电路。
  6. 工业自动化和通信基础设施中的功率调节模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, STP36NF06

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FQP47P06参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 23.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件