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FQP46N15 发布时间 时间:2025/6/20 23:52:31 查看 阅读:4

FQP46N15是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有出色的电气性能和可靠性,适用于各种高功率应用环境。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:30A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻:0.045Ω(典型值)
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃~175℃

特性

FQP46N15具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用场合中能够显著降低功耗。
  其快速开关能力和较低的输入电容使它可以轻松用于高频开关电源设计。
  此外,该器件还具有优异的热稳定性和抗雪崩能力,确保了在极端条件下的可靠运行。
  FQP46N15的设计使其非常适合用作同步整流器、DC-DC转换器以及电机驱动等应用中的开关元件。

应用

该器件常用于开关电源、逆变器、电机驱动、电池保护电路以及各类工业控制系统。
  在汽车电子领域,FQP46N15也常被用作负载开关或继电器替代品。
  此外,由于其强大的电流处理能力,它还可用于大功率LED驱动器以及其他需要高效率、低损耗的电力电子设备中。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF10
  AO3400

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FQP46N15参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 22.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3250pF @ 25V
  • 功率 - 最大210W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件