类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：45A
　　最大功耗（PD）：250W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.042Ω（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-262、TO-220、D2PAK（根据具体型号后缀）

FQP45N20A 具备一系列优良的电气和热性能，适用于高功率密度设计。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，例如电源转换器或电机驱动器中，这有助于减少发热，提升整体性能。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 200V，能够胜任中高压应用环境，例如工业电源、UPS 系统以及光伏逆变器等。
　　此外，FQP45N20A 具有高耐雪崩能力和良好的热稳定性，确保在严苛工作条件下的可靠运行。其封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）具备良好的散热性能，适合高功率耗散的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压为 10V 时即可实现充分导通，兼容常见的驱动 IC 和控制电路，便于系统集成和优化设计。
　　最后，FQP45N20A 的制造工艺成熟，具有高重复性和稳定性，适用于大批量生产环境。

FQP45N20A 主要应用于需要高效率、高可靠性、高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中的主开关，提高电源效率和稳定性。
　　2. 电机控制：用于直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的功率控制。
　　3. 电池管理系统（BMS）：作为高边或低边开关，用于控制电池充放电回路。
　　4. 工业自动化设备：如伺服驱动器、变频器等，用于实现高精度的电力控制。
　　5. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统中的功率开关元件。
　　6. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，如照明系统、加热元件等。

STP45NF20, IRF3710, FQP40N20C, FQA44N20